• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Номинальное напряжение: 25V
• Тип транзистора: N-Channel JFET

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 8V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): -20V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: TLM832D
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 1.65W

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): 12V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): 16V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-18
• Частота: 1kHz
• Номинальное напряжение: 50V
• Тип транзистора: N-Channel JFET
• Voltage - Test: 15V
• Коэффициент шума: 1dB

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92
• Частота: 1kHz
• Номинальное напряжение: 20V
• Тип транзистора: P-Channel
• Коэффициент шума: 2dB

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
• Тип корпуса: SOT-23F
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
• Напряжение затвора (макс): 12V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: TLM832D
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V
• Мощность - Макс.: 1.65W (Ta)

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 2W

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): 40V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-PowerVFDFN
• Тип корпуса: TLM621
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
• Напряжение затвора (макс): 12V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: TLM621H
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): -20V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): -20V