- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: SOT-883
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): -8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: TLM621H
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): -8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: SOT-883
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
- Напряжение затвора (макс): -10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: TLM563D
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 350mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: SOT-883
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
- Напряжение затвора (макс): -10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: SOT-883VL
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): -8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-563
- Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 350mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 2.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): -20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): -20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: SOT-883
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.78A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): -8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-PowerVFDFN
- Тип корпуса: TLM621
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-563
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 350mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100