• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 131
  • CDM7-600LR TR13 PBFREE
    MOSFET N-CH 7A 600V DPAK
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 3.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 60W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMPDM7002AG TR PBFREE
    MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM7003-M621 BK
    MOSFET N-CH 50V DFN6
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-PowerVFDFN
    • Тип корпуса: TLM621
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
    • Напряжение затвора (макс): 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMLDM7003TG TR PBFREE
    MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CZDM1003N TR
    MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): -20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM304P-M832DS TR
    MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: TLM832DS
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.65W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5245
    IC RF AMPLIFIER N-CH 30V TO92
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Номинальное напряжение: 30V
    • Тип транзистора: N-Channel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM7590 TR
    MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-XFDFN
    • Тип корпуса: TLM3D6D8
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CZDM1003N BK
    MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): -20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDM3-800 TR13 PBFREE
    MOSFET N-CH 3A 800V DPAK
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 80W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDM2206-800LR SL PBFREE
    MOSFET N-CH 800V 6A TO220
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3nC @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 110W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CP373-CTLDM303N-CT
    MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 2.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CEDM7004VL TR PBFREE
    MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: SOT-883VL
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM8120-M621H TR
    MOSFET P-CH 20V DFN6
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: TLM621H
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMUDM8005 TR PBFREE
    MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100