• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 131
  • CTLDM8120-M832DS TR
    MOSFET DUAL N-CHANNEL
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: TLM832DS
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V
    • Мощность - Макс.: 1.65W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMLDM7003 TR
    MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM3590 TR
    MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-XFDFN
    • Тип корпуса: TLM3D6D8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CP798X-CPDM302PH-CT
    MOSFET P-CH 30V
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMRDM3575 TR PBFREE
    MOSFET N/P-CH 20V SOT963
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SOT-963
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160mA, 140mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 125mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMPDM203NH BK
    MOSFET N-CH 20V SOT-23F
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
    • Тип корпуса: SOT-23F
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMPDM302PH TR
    MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
    • Тип корпуса: SOT-23F
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDM4-600LR TR13 PBFREE
    MOSFET N-CH 4A 600V DPAK
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11.59nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 38W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CEDM8004 TR PBFREE
    MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: SOT-883VL
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM7002A-M621 BK
    MOSFET N-CH 60V DFN6
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-PowerVFDFN
    • Тип корпуса: TLM621
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF244A
    SCR
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CEDM8001VL TR PBFREE
    MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: SOT-883VL
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
    • Напряжение затвора (макс): -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM7120-M832DS BK
    MOSFET DUAL N-CHANNEL
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: TLM832DS
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.65W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMLDM7585 TR PBFREE
    MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 650mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CTLDM8120-M832D TR
    TRANSISTOR
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: TLM832D
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V
    • Мощность - Макс.: 1.65W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100