-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NE4210S01-T1B | HJ-FET 13DB S01 | CEL | SMD | 12GHz | 4V | 15mA | 4-SMD | HFET | 13dB | 0.5dB | 2V | 10mA |
NE3210S01 | FET RF 4V 12GHZ S01 | CEL | SMD | 12GHz | 4V | 15mA | 4-SMD | HFET | 13.5dB | 0.35dB | 2V | 10mA |
NE4210S01 | HJ-FET 13DB S01 | CEL | SMD | 12GHz | 4V | 15mA | 4-SMD | HFET | 13dB | 0.5dB | 2V | 10mA |
NE3210S01-T1B | FET RF 4V 12GHZ S01 | CEL | SMD | 12GHz | 4V | 15mA | 4-SMD | HFET | 13.5dB | 0.35dB | 2V | 10mA |
- 10
- 15
- 50
- 100