Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET CEL SMD

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • NE4210S01-T1B
    HJ-FET 13DB S01
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD
    • Тип корпуса: SMD
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.5dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3210S01
    FET RF 4V 12GHZ S01
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD
    • Тип корпуса: SMD
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE4210S01
    HJ-FET 13DB S01
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD
    • Тип корпуса: SMD
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.5dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE3210S01-T1B
    FET RF 4V 12GHZ S01
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD
    • Тип корпуса: SMD
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 15mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100