Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET CEL S02

Найдено: 11
  • FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 14dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.3dB
    • Номинальный ток: 88mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 165mW
    • Тип транзистора: N-Channel GaAs HJ-FET
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 60mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 14dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.3dB
    • Номинальный ток: 88mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LNA 13.5DB S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.3dB
    • Номинальный ток: 70mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HJ-FET NCH 13.5DB S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.3dB
    • Номинальный ток: 70mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HJ-FET NCH 13.5DB S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 70mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 165mW
    • Тип транзистора: N-Channel GaAs HJ-FET
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 60mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 14dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.3dB
    • Номинальный ток: 88mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HJ-FET NCH 13.5DB S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 12GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.35dB
    • Номинальный ток: 70mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HJ-FET NCH 10DB S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 20GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.75dB
    • Номинальный ток: 70mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HJ-FET NCH 10DB S02
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: S02
    • Частота: 20GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.75dB
    • Номинальный ток: 70mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: