• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
CE3514M4-C2 RF MOSFET PHEMT FET 2V CEL 4-Super Mini Mold 125mW 12GHz 4V 68mA 4-SMD, Flat Leads pHEMT FET 12.2dB 0.62dB 2V 15mA
CE3521M4-C2 RF FET 4V 20GHZ SOT343 CEL 4-Super Mini Mold 125mW 20GHz 4V 15mA SC-82A, SOT-343 pHEMT FET 11.9dB 1.05dB 2V 10mA
CE3521M4 RF FET 4V 20GHZ SOT343 CEL 4-Super Mini Mold 125mW 20GHz 4V 15mA SC-82A, SOT-343 pHEMT FET 11.9dB 1.05dB 2V 10mA
CE3514M4 RF FET 4V 12GHZ SOT343 CEL 4-Super Mini Mold 125mW 12GHz 4V 15mA 4-SMD, Flat Leads pHEMT FET 12.2dB 0.62dB 2V 10mA
NE3513M04-T2B-A FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD CEL 4-Super Mini Mold 125mW 12GHz 4V 60mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel GaAs HJ-FET 13dB 0.65dB 2V 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100