• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
NE3514S02-A HJ-FET NCH 10DB S02 CEL S02 20GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 10dB 0.75dB 2V 10mA
NE3514S02-T1C-A HJ-FET NCH 10DB S02 CEL S02 20GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 10dB 0.75dB 2V 10mA
NE651R479A-A FET RF 8V 1.9GHZ 79A CEL 79A 27dBm 1.9GHz 8V 1A 4-SMD, Flat Leads HFET 12dB 3.5V 50mA
NE3503M04-A FET RF 4V 12GHZ M04 CEL M04 12GHz 4V 70mA SOT-343F HFET 12dB 0.45dB 2V 10mA
NE5550234-T1-AZ FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD CEL 3-PowerMiniMold 32.2dB 900MHz 30V 600mA TO-243AA N-Channel 23.5dB 7.5V 40mA
NE3503M04-T2-A FET RF 4V 12GHZ M04 CEL M04 12GHz 4V 70mA SOT-343F HFET 12dB 0.45dB 2V 10mA
NE5550779A-T1-A FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG CEL 79A 38.5dBm 900MHz 30V 2.1A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 22dB 7.5V 140mA
NE55410GR-AZ FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP CEL 16-HTSSOP 35.4dBm 2.14GHz 65V 250mA, 1A 16-DFF, Exposed Pad LDMOS 13.5dB 28V 20mA
NE25139-T1-U73 FET RF 13V 900MHZ SOT-143 CEL SOT-143 900MHz 13V 40mA TO-253-4, TO-253AA MESFET Dual Gate 20dB 1.1dB 5V 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100