• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 69
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
NE3503M04-T2B-A FET RF 4V 12GHZ M04 CEL M04 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12dB 0.45dB 2V 10mA
CE3521M4 RF FET 4V 20GHZ SOT343 CEL 4-Super Mini Mold 125mW 20GHz 4V 15mA SC-82A, SOT-343 pHEMT FET 11.9dB 1.05dB 2V 10mA
NE5531079A-T1A-A FET RF 30V 460MHZ 79A CEL 79A 40dBm 460MHz 30V 3A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 7.5V 200mA
NE3508M04-A FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM CEL F4TSMM, M04 18dBm 2GHz 4V 120mA SOT-343F HFET 14dB 0.45dB 2V 10mA
NE3513M04-T2-A FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD CEL M04 125mW 12GHz 4V 60mA SOT-343F N-Channel GaAs HJ-FET 13dB 0.65dB 2V 10mA
NE3511S02-T1C-A IC AMP RF LNA 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3510M04-T2-A FET RF 4V 4GHZ M04 CEL M04 4GHz 4V 97mA SOT-343F HFET 16dB 0.45dB 2V 15mA
CE3514M4 RF FET 4V 12GHZ SOT343 CEL 4-Super Mini Mold 125mW 12GHz 4V 15mA 4-SMD, Flat Leads pHEMT FET 12.2dB 0.62dB 2V 10mA
NE3521M04-A IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI CEL 20GHz 3V 15mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel 10.5dB 0.85dB 2V 6mA
NE3511S02-A HJ-FET NCH 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE34018-T1 FET RF 4V 2GHZ SOT-343 CEL SOT-343 12dBm 2GHz 4V 120mA SC-82A, SOT-343 HFET 16dB 0.6dB 2V 5mA
NE3513M04-T2B-A FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD CEL 4-Super Mini Mold 125mW 12GHz 4V 60mA 4-SMD, Flat Leads N-Channel GaAs HJ-FET 13dB 0.65dB 2V 10mA
CE3520K3-C1 RF FET 4V 20GHZ 4MICROX CEL 4-Micro-X 125mW 20GHz 4V 15mA 4-Micro-X pHEMT FET 13.8dB 0.8dB 2V 10mA
NE3512S02-A HJ-FET NCH 13.5DB S02 CEL S02 12GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.35dB 2V 10mA
NE3513M04-A FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD CEL M04 125mW 12GHz 4V 60mA SOT-343F N-Channel GaAs HJ-FET 13dB 0.65dB 2V 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100