• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 69
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
NE5550779A-A FET RF 30V 900MHZ 79A CEL 79A 38.5dBm 900MHz 30V 2.1A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 22dB 7.5V 140mA
NE5550979A-A FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG CEL 79A 38.6dBm 900MHz 30V 3A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 22dB 7.5V 200mA
NE5520379A-T1A-A FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG CEL 79A 35.5dBm 915MHz 15V 1.5A 4-SMD, Flat Leads LDMOS 16dB 3.2V
NE34018-64-A FET RF 4V 2GHZ SOT-343 CEL SOT-343 12dBm 2GHz 4V 120mA SC-82A, SOT-343 HFET 16dB 0.6dB 2V 5mA
NE651R479A-T1-A FET RF 8V 1.9GHZ 79A CEL 79A 27dBm 1.9GHz 8V 1A 4-SMD, Flat Leads HFET 12dB 3.5V 50mA
NE3520S03-A FET RF 4V 20GHZ S03 CEL S03 20GHz 4V 70mA 4-SMD, Flat Leads HFET 13.5dB 0.65dB 2V 10mA
NE6510179A-T1-A FET RF 8V 1.9GHZ 79A CEL 79A 32.5dBm 1.9GHz 8V 2.8A 4-SMD, Flat Leads HFET 10dB 3.5V 200mA
NE34018-T1-64-A FET RF 4V 2GHZ SOT-343 CEL SOT-343 12dBm 2GHz 4V 120mA SC-82A, SOT-343 HFET 16dB 0.6dB 2V 5mA
NE3509M04-A FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI CEL M04 11dBm 2GHz 4V 60mA SOT-343F HFET 17.5dB 0.4dB 2V 10mA
NE350184C FET RF 4V 20GHZ MICRO-X CEL 84C 20GHz 4V 70mA Micro-X ceramic (84C) HFET 13.5dB 0.7dB 2V 10mA
CE3512K2-C1 RF FET 4V 12GHZ 4MICROX CEL 4-Micro-X 125mW 12GHz 4V 15mA 4-Micro-X pHEMT FET 13.7dB 0.5dB 2V 10mA
NE552R679A-A FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG CEL 79A 28dbm 460MHz 3V 350mA 4-SMD, Flat Leads LDMOS 20dB 3V 300mA
CE3521M4-C2 RF FET 4V 20GHZ SOT343 CEL 4-Super Mini Mold 125mW 20GHz 4V 15mA SC-82A, SOT-343 pHEMT FET 11.9dB 1.05dB 2V 10mA
NE4210S01 HJ-FET 13DB S01 CEL SMD 12GHz 4V 15mA 4-SMD HFET 13dB 0.5dB 2V 10mA
NE34018-T1-A FET RF 4V 2GHZ SOT-343 CEL SOT-343 12dBm 2GHz 4V 120mA SC-82A, SOT-343 HFET 16dB 0.6dB 2V 5mA