-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATF-511P8-TR2 | FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC | Broadcom Limited | 8-LPCC (2x2) | 30dBm | 2GHz | 7V | 1A | 8-WFDFN Exposed Pad | E-pHEMT | 14.8dB | 1.4dB | 4.5V | 200mA |
| ATF-511P8-BLK | FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC | Broadcom Limited | 8-LPCC (2x2) | 30dBm | 2GHz | 7V | 1A | 8-WFDFN Exposed Pad | E-pHEMT | 14.8dB | 1.4dB | 4.5V | 200mA |
| ATF-511P8-TR1 | FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC | Broadcom Limited | 8-LPCC (2x2) | 30dBm | 2GHz | 7V | 1A | 8-WFDFN Exposed Pad | E-pHEMT | 14.8dB | 1.4dB | 4.5V | 200mA |
- 10
- 15
- 50
- 100