-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLP10H603Z | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Ampleon USA Inc. | 12-HVSON (6x5) | 2.5W | 860MHz | 104V | 12-VDFN Exposed Pad | LDMOS | 22.8dB | 50V | 15mA |
| BLP10H605AZ | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Ampleon USA Inc. | 12-HVSON (6x5) | 5W | 860MHz | 104V | 12-VDFN Exposed Pad | LDMOS (Dual), Common Source | 22.4dB | 50V | 30mA |
| BLP10H610Z | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Ampleon USA Inc. | 12-HVSON (6x5) | 10W | 860MHz | 104V | 12-VDFN Exposed Pad | LDMOS (Dual), Common Source | 22dB | 50V | 60mA |
| BLP10H610AZ | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Ampleon USA Inc. | 12-HVSON (6x5) | 10W | 860MHz | 104V | 12-VDFN Exposed Pad | LDMOS (Dual), Common Source | 22dB | 50V | 60mA |
| BLP10H605Z | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Ampleon USA Inc. | 12-HVSON (6x5) | 5W | 860MHz | 104V | 12-VDFN Exposed Pad | LDMOS (Dual), Common Source | 22.4dB | 50V | 30mA |
- 10
- 15
- 50
- 100