• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLP8G05S-200Y RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 Ampleon USA Inc. 4-HSOPF 210W 440MHz 65V SOT-1138-2 LDMOS (Dual), Common Source 21dB 28V 2mA
BLP8G05S-200GY RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 Ampleon USA Inc. 4-HSOP 210W 440MHz 65V SOT-1204-2 LDMOS (Dual), Common Source 21dB 28V 2mA
BLP05M7200Y RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1139 Ampleon USA Inc. 4-HSOP 210W 440MHz 65V 4-HSOPF, SOT-1138 LDMOS (Dual), Common Source 21dB 28V 2mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100