• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 24
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLF6G10LS-200RN RF FET LDMOS 65V SOT539 Ampleon USA Inc. SOT502B 200W 700MHz ~ 1GHz 65V 4.2µA SOT-502B LDMOS 20dB 28V 1.4A
BLF879P,112 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A Ampleon USA Inc. SOT539A 200W 860MHz 104V SOT-539A LDMOS (Dual), Common Source 21dB 42V 1.3A
BLA1011S-200R,112 RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 200W 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V SOT-502B LDMOS 13dB 36V 150mA
BLF882U RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 200W 705MHz 104V SOT-502A LDMOS 20.6dB 50V 100mA
BLF879PS,112 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B Ampleon USA Inc. SOT539B 200W 860MHz 104V SOT-539B LDMOS (Dual), Common Source 21dB 42V 1.3A
BLC10M6XS200Z RF MOSFET LDMOS 28V SOT1270-1 Ampleon USA Inc. SOT-1270-1 200W 425MHz ~ 450MHz 65V 4.2µA SOT-1270-1 LDMOS 19.5dB 28V 350mA
BLA6G1011LS-200RG, RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C Ampleon USA Inc. LDMOST 200W 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 49A SOT-502C LDMOS 20dB 28V 100mA
BLA1011S-200,112 RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 200W 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V SOT-502B LDMOS 13dB 36V 150mA
BLS7G3135LS-200U RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 200W 3.5GHz 65V SOT-502B LDMOS 12dB 32V 100mA
BLS7G2730LS-200PU RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B Ampleon USA Inc. SOT539B 200W 2.7GHz ~ 3GHz 65V SOT-539B LDMOS (Dual), Common Source 12dB 32V 100mA
BLF882SU RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 200W 705MHz 104V SOT-502B LDMOS 20.6dB 50V 100mA
BLS7G2730L-200PU RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A Ampleon USA Inc. SOT539A 200W 2.7GHz ~ 3GHz 65V SOT-539A LDMOS (Dual), Common Source 12dB 32V 100mA
BLC10M6XS200Y BLC10M6XS200/SOT1270/REELDP Ampleon USA Inc. SOT-1270-1 200W 425MHz ~ 450MHz 65V 4.2µA SOT-1270-1 LDMOS 19.5dB 28V 350mA
BLA1011-200 OXIDE SEMICONDUCTOR FET Ampleon USA Inc. SOT502A 200W 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V 1µA SOT-502A LDMOS 13dB 36V 150mA
BLSC9G2731XS-200Z BLSC9G2731XS-200/SOT1270/TRAYDP Ampleon USA Inc. SOT-1270-1 200W 2.7GHz ~ 3.1GHz 65V 2.8µA SOT-1270-1 LDMOS 14dB 32V 200mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100