• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLF188XRSU RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B Ampleon USA Inc. SOT539B 1400W 108MHz 135V SOT-539B LDMOS (Dual), Common Source 24.4dB 50V 40mA
BLF188XRGJ RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C Ampleon USA Inc. CDFM4 1400W 108MHz 135V SOT-1248C LDMOS (Dual), Common Source 24.4dB 50V 40mA
BLF178XRS,112 RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B Ampleon USA Inc. SOT539B 1400W 108MHz 110V SOT-539B LDMOS (Dual), Common Source 28dB 50V 40mA
BLF178XR,112 RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A Ampleon USA Inc. SOT539A 1400W 108MHz 110V SOT-539A LDMOS (Dual), Common Source 28dB 50V 40mA
BLF578XR,112 RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A Ampleon USA Inc. SOT539A 1400W 225MHz 110V SOT-539A LDMOS (Dual), Common Source 23.5dB 50V 40mA
BLF188XRU RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A Ampleon USA Inc. SOT539A 1400W 108MHz 135V SOT-539A LDMOS (Dual), Common Source 24.4dB 50V 40mA
BLF578XRS,112 RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B Ampleon USA Inc. SOT539B 1400W 225MHz 110V SOT-539B LDMOS (Dual), Common Source 23.5dB 50V 40mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100