• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 21
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLF2043,112 RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2GHz 75V 2.2A SOT-467C LDMOS 12.5dB 26V 85mA
BLF9G38-10GU RF MOSFET LDMOS SOT975C Ampleon USA Inc. CDFM2 10W 3.4GHz ~ 3.8GHz 28V SOT-975C LDMOS
BLP15H9S10Z BLP15H9S10/SOT1482/REELDP Ampleon USA Inc. SOT-1482-1 10W 1.4GHz 104V 1.4µA SOT-1482-1 LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA BLP
CLF1G0060S-10U RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B Ampleon USA Inc. SOT1227B 10W 3GHz ~ 3.5GHz 150V SOT-1227B GaN HEMT 14.5dB 50V 50mA
BLF1822-10,112 RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2.2GHz 65V 2.2A SOT-467C LDMOS 13.5dB 26V 85mA
BLF1043,135 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A Ampleon USA Inc. 2-CSMD 10W 960MHz 65V 2.2A SOT-538A LDMOS 18.5dB 26V 85mA
BLF9G38-10GJ RF MOSFET LDMOS SOT975C Ampleon USA Inc. SOT-975C 10W 3.4GHz ~ 3.8GHz 28V SOT-975C LDMOS
CLF1G0060-10U RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A Ampleon USA Inc. CDFM2 10W 3GHz ~ 3.5GHz 150V SOT-1227A GaN HEMT 14.5dB 50V 50mA
BLF1043,112 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A Ampleon USA Inc. 2-CSMD 10W 960MHz 65V 2.2A SOT-538A LDMOS 18.5dB 26V 85mA
BLA1011-10,112 RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V 2.2A SOT-467C LDMOS 15dB 36V 50mA
BLP10H610Z RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 10W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA
BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 10W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA
BLF1043 RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F Ampleon USA Inc. 2-CSMD 10W 1GHz 65V 1.5µA SOT-538A LDMOS 18.5dB 26V 85mA BLF
BLF2043F,135 RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2.2GHz 65V 2.2A SOT-467C LDMOS 11dB 26V 85mA
TM-10 TM-10 - 10W BROADBAND RF POWER G Ampleon USA Inc. SOT1227B 10W SOT-1227B GaN HEMT
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100