-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BLF2043,112 | RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 10W | 2GHz | 75V | 2.2A | SOT-467C | LDMOS | 12.5dB | 26V | 85mA | |
BLF9G38-10GU | RF MOSFET LDMOS SOT975C | Ampleon USA Inc. | CDFM2 | 10W | 3.4GHz ~ 3.8GHz | 28V | SOT-975C | LDMOS | |||||
BLP15H9S10Z | BLP15H9S10/SOT1482/REELDP | Ampleon USA Inc. | SOT-1482-1 | 10W | 1.4GHz | 104V | 1.4µA | SOT-1482-1 | LDMOS (Dual), Common Source | 22dB | 50V | 60mA | BLP |
CLF1G0060S-10U | RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B | Ampleon USA Inc. | SOT1227B | 10W | 3GHz ~ 3.5GHz | 150V | SOT-1227B | GaN HEMT | 14.5dB | 50V | 50mA | ||
BLF1822-10,112 | RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 10W | 2.2GHz | 65V | 2.2A | SOT-467C | LDMOS | 13.5dB | 26V | 85mA | |
BLF1043,135 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Ampleon USA Inc. | 2-CSMD | 10W | 960MHz | 65V | 2.2A | SOT-538A | LDMOS | 18.5dB | 26V | 85mA | |
BLF9G38-10GJ | RF MOSFET LDMOS SOT975C | Ampleon USA Inc. | SOT-975C | 10W | 3.4GHz ~ 3.8GHz | 28V | SOT-975C | LDMOS | |||||
CLF1G0060-10U | RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A | Ampleon USA Inc. | CDFM2 | 10W | 3GHz ~ 3.5GHz | 150V | SOT-1227A | GaN HEMT | 14.5dB | 50V | 50mA | ||
BLF1043,112 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Ampleon USA Inc. | 2-CSMD | 10W | 960MHz | 65V | 2.2A | SOT-538A | LDMOS | 18.5dB | 26V | 85mA | |
BLA1011-10,112 | RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 10W | 1.03GHz ~ 1.09GHz | 75V | 2.2A | SOT-467C | LDMOS | 15dB | 36V | 50mA | |
BLP10H610Z | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Ampleon USA Inc. | 12-HVSON (6x5) | 10W | 860MHz | 104V | 12-VDFN Exposed Pad | LDMOS (Dual), Common Source | 22dB | 50V | 60mA | ||
BLP10H610AZ | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Ampleon USA Inc. | 12-HVSON (6x5) | 10W | 860MHz | 104V | 12-VDFN Exposed Pad | LDMOS (Dual), Common Source | 22dB | 50V | 60mA | ||
BLF1043 | RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F | Ampleon USA Inc. | 2-CSMD | 10W | 1GHz | 65V | 1.5µA | SOT-538A | LDMOS | 18.5dB | 26V | 85mA | BLF |
BLF2043F,135 | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 10W | 2.2GHz | 65V | 2.2A | SOT-467C | LDMOS | 11dB | 26V | 85mA | |
TM-10 | TM-10 - 10W BROADBAND RF POWER G | Ampleon USA Inc. | SOT1227B | 10W | SOT-1227B | GaN HEMT |
- 10
- 15
- 50
- 100