-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CLF1G0060-10 | CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF | Ampleon USA Inc. | SOT1227B | 10W | 6GHz | 150V | SOT-1227B | GaN HEMT | 16dB | 50V | 50mA | ||
| BLA1011-10 | OXIDE SEMICONDUCTOR FET | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 10W | 1.03GHz ~ 1.09GHz | 75V | 100µA | SOT-467C | LDMOS | 15dB | 36V | 50mA | |
| BLF2043,135 | RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 10W | 2GHz | 75V | 2.2A | SOT-467C | LDMOS | 12.5dB | 26V | 85mA | |
| BLP15H9S10GZ | BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP | Ampleon USA Inc. | SOT1483-1 | 10W | 1.4GHz | 104V | 1.4µA | SOT-1483-1 | LDMOS (Dual), Common Source | 22dB | 50V | 60mA | BLP |
| BLF2043F,112 | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 10W | 2.2GHz | 65V | 2.2A | SOT-467C | LDMOS | 11dB | 26V | 85mA | |
| BLP8G20S-80PY | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | Ampleon USA Inc. | 4-HSOPF | 10W | 1.88GHz ~ 1.92GHz | 65V | SOT-1223-1 | LDMOS (Dual), Common Source | 17.5dB | 28V | 300mA |
- 10
- 15
- 50
- 100