• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
AOP610 MOSFET N/P-CH 30V 8DIP Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-PDIP 2.3W Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 30V Logic Level Gate 24mOhm @ 7.7A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 630pF @ 15V
AOP609 MOSFET N/P-CH 60V 8DIP Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-PDIP 2.5W Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 60V Logic Level Gate 60mOhm @ 4.7A, 10V 3V @ 250µA 7nC @ 10V 570pF @ 30V
AOP607 MOSFET N/P-CH 60V 8DIP Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-PDIP 2.5W Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 60V Logic Level Gate 56mOhm @ 4.7A, 10V 3V @ 250µA 10.5nC @ 10V 540pF @ 30V
AOP605 MOSFET N/P-CH 30V 8DIP Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-PDIP 2.5W Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 30V Logic Level Gate 28mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 16.6nC @ 4.5V 820pF @ 15V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100