Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-PDIP

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • AOP610
    MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.3W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOP609
    MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOP607
    MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOP605
    MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100