Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-DFN-EP (3.3x3.3)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 32
  • AON7758_001
    MOSFET N-CH 30V 75A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 75A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 34W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7440
    MOSFET N-CH
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2820pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 42W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7418A
    MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2994pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7140
    MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3350pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 46W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7442
    MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2994pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7758
    MOSFET N-CH 30V 75A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 75A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 34W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONR34332C
    MOSFET LV N-CH 8DFN 3X3 EP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4175pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83.3W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7244
    MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2435pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7902
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A, 13A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.8W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7428
    MOSFET N-CH 30V 50A 3X3DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3120pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7784
    MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7318
    MOSFET LV N-CH 8DFN EP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 39W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7405
    MOSFET P-CH 30V 25A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.25W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7232
    MOSFET N-CHANNEL 100V 37A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 39W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7760
    MOSFET N-CH 25V 75A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 75A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5520pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 34.5W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100