-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.25W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 40V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.3W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.25W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±25V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2994pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4550pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2994pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3554pF @ 12.5V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 68A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 32.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4175pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83.3W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5626pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A, 13A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.8W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaSGT™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 52W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 675pF @ 75V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 39W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100