-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON2411 | MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN (2x2) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 5W (Ta) | 12V | 20A (Ta) | 8mOhm @ 12A, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 900mV @ 250µA | 30nC @ 4.5V | 2180pF @ 6V | ±8V | |
| AON2392 | MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN (2x2) | Surface Mount | 8-VFDFN Exposed Pad | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 4.1W (Ta) | 100V | 8A (Ta) | 32mOhm @ 8A, 10V | 4.5V, 10V | 2.4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 840pF @ 50V | ±20V | AlphaSGT™ |
- 10
- 15
- 50
- 100