Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-DFN (2x2)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • AON2411
    MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2392
    MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaSGT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100