-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON3414 | MOSFET NCH 30V 10.5A DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN (2.9x2.3) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 3.1W (Ta) | 30V | 10.5A (Ta) | 17mOhm @ 9A, 10V | 4.5V, 10V | 2.4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 690pF @ 15V | ±20V | |
| AON3402 | MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN (2.9x2.3) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 3.1W (Ta) | 20V | 12.6A (Ta) | 13mOhm @ 12A, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1V @ 250µA | 17.9nC @ 4.5V | 1810pF @ 10V | ±12V | |
| AON7532E | MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN (2.9x2.3) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 5W (Ta), 28W (Tc) | 30V | 30.5A (Ta), 28A (Tc) | 3.5mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 2.2V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1950pF @ 15V | ±20V | AlphaMOS |
| AON3419 | MOSFET P-CH 30V 10A DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN (2.9x2.3) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 3.1W (Ta) | 30V | 10A (Tc) | 19mOhm @ 10A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 30nC @ 10V | 1040pF @ 15V | ±20V |
- 10
- 15
- 50
- 100