Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
AON1605 MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 3-DFN (1.0 x 0.60) Surface Mount 3-UFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 900mW (Ta) 20V 700mA (Ta) 710mOhm @ 400mA, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.1V @ 250µA 750nC @ 4.5V 50pF @ 10V ±8V
AON1606_001 MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 3-DFN (1.0 x 0.60) Surface Mount 3-UFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 900mW (Ta) 20V 700mA (Ta) 275mOhm @ 400mA, 4.5V 1.5V, 4.5V 1V @ 250µA 850nC @ 4.5V 62.5pF @ 10V ±8V
AON1605_001 MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 3-DFN (1.0 x 0.60) Surface Mount 3-UFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 900mW (Ta) 20V 700mA (Ta) 710mOhm @ 400mA, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.1V @ 250µA 750nC @ 4.5V 50pF @ 10V ±8V
AON1606 MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc. 3-DFN (1.0 x 0.60) Surface Mount 3-UFDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 900mW (Ta) 20V 700mA (Ta) 275mOhm @ 400mA, 4.5V 1.5V, 4.5V 1V @ 250µA 850nC @ 4.5V 62.5pF @ 10V ±8V