• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
ALD1115MAL MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP Advanced Linear Devices Inc. 8-MSOP 500mW Surface Mount 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 0°C ~ 70°C (TJ) N and P-Channel Complementary 10.6V Standard 1800Ohm @ 5V 1V @ 1µA 3pF @ 5V
ALD111933MAL MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP Advanced Linear Devices Inc. 8-MSOP 500mW Surface Mount 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 0°C ~ 70°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V Standard 500Ohm @ 5.9V 3.35V @ 1µA 2.5pF @ 5V EPAD®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100