Найдено: 40
-
TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 50mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 360MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 700mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 320MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 12V 1.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 280MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 320MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 60V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 60V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 80V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 280MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 12V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 40mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 50V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 12V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 360MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 80V 0.7A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 700mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 380MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 60V 0.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 60V 0.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: TSMT3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 50mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: