Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.25A Pmax 885mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • ZXTS1000NE6TA
    TRANS PNP SW LOW SAT SOT23-6
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: SOT-23-6
    • Мощность - Макс.: 885mW
    • Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)
    • Ток коллектора (макс): 1.25A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
    • Обратный ток коллектора: 10nA
    • Граничная частота: 220MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXTS1000E6TC
    TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: SOT-23-6
    • Мощность - Макс.: 885mW
    • Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)
    • Ток коллектора (макс): 1.25A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
    • Обратный ток коллектора: 10nA
    • Граничная частота: 220MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100