Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.5A Pmax 800mW
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: TUMT3
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
- Тип корпуса: 8-LFPAK
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 140mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
- Тип корпуса: 8-LFPAK
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 140mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
- Тип корпуса: 8-LFPAK
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 87MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100