Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.2A Pmax 800mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • CP337V-2N3725-CT
    TRANS NPN 50V 1.2A DIE
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3725 PBFREE
    TRANS NPN 50V 1.2A TO39
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CP337V-2N3725-CT20
    TRANS NPN 50V 1.2A DIE
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3725 TIN/LEAD
    TRANS NPN 50V 1.2A TO39
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100