Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10A Pmax 70W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 7.5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
- Обратный ток коллектора: 200µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 7.5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
- Обратный ток коллектора: 200µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 4A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 4A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100