Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) I_C(MAX) 200mA P_max 700mW

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89-3
• Мощность - Макс.: 700mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 50MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: SuperSOT™-6
• Мощность - Макс.: 700mW
• Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: SuperSOT™-6
• Мощность - Макс.: 700mW
• Тип транзистора: NPN, PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: SuperSOT™-6
• Мощность - Макс.: 700mW
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 250MHz