Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10A Pmax 6W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/370
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/523
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/523
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/523
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 275V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/307
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 275V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 275V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/370
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/523
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100