-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOWATT218FX
- Тип корпуса: ISOWATT-218FX
- Мощность - Макс.: 65W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Усиление по току (hFE): 6.5 @ 7A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1.75A, 7A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOWATT218FX
- Тип корпуса: ISOWATT-218FX
- Мощность - Макс.: 65W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
- Усиление по току (hFE): 4.5 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100