Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.5A Pmax 650mW
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 650mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 650mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100