-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 2mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 25nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 2mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100