Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.7A Pmax 500mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • 2SA2195,LF
    TRANS PNP 50V 1.7A UFM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: UFM
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.7A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 300mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100