• Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 73
  • FSB6726
    TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 1A, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3737
    TRANS NPN 40V 1.5A TO46
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/395
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-46-3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N3765U4
    TRANS PNP 60V 1.5A U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3764U4
    NPN TRANSISTOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 1A, 1.5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N3765U4
    NPN TRANSISTOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SA1419S-TD-H
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: PCP
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N3737UB/TR
    TRANS NPN 40V 1.5A 3UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/395
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 3-UB (2.9x2.2)
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SCR375PHZGT100Q
    TRANS NPN 120V 1.5A SOT89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 200mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SAR554P5T100
    TRANS PNP 80V 1.5A MPT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: MPT3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 340MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N3764
    TRANS PNP 40V 1.5A TO46
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-46 (TO-206AB)
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 1A, 1.5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3737UB/TR
    TRANS NPN 40V 1.5A UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3764
    TRANS PNP 40V 1.5A TO46
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-46
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 1A, 1.5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SCR375P5T100Q
    NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: MPT3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 200mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N3764U4
    TRANS PNP 40V 1.5A U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 1A, 1.5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2STR2215
    TRANS PNP 15V 1.5A SOT23-3
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100