Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1mA Pmax 5.5W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • JANTXV2N6251
    TRANS NPN 350V 0.001A TO3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 5.5W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
    • Усиление по току (hFE): 6 @ 10A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100