Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 100mA Pmax 4W

Найдено: 6
  • TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 4W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 40mA, 20V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 250V 0.1A TO126B-A1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126B-A1
    • Мощность - Макс.: 4W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 40mA, 20V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 250V 0.1A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 4W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 40mA, 20V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 4W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 40mA, 20V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 4W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 40mA, 20V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 4W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 40mA, 20V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: