Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 100mA Pmax 450mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 41
  • SS9014CTA
    TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 270MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9014BTA
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 270MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9015CBU
    TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 190MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DN0150ALP4-7B
    TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-XFDFN
    • Тип корпуса: X2-DFN1006-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9014CBU
    TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 270MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9015BTA
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 190MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9014CTA
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 270MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9015ABU
    TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 190MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DN0150BLP4-7B
    TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-XFDFN
    • Тип корпуса: X2-DFN1006-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9014DTA
    TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 400 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 270MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9015CBU
    TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 190MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9014ABU-FS
    TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 270MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9015BTA
    TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 190MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS9014CTA
    TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 270MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S9015-C-BP
    TRANS PNP 45V 0.1A TO92
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100