Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) I_C(MAX) 10A P_max 40W

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
• Тип корпуса: TO-220FH
• Мощность - Макс.: 40W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Усиление по току (hFE): 4 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220 Full Pack
• Мощность - Макс.: 40W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
• Усиление по току (hFE): 5.5 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A
• Обратный ток коллектора: 200µA

• Производитель: General Semiconductor
• Вид монтажа: Stud Mount
• Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
• Тип корпуса: TO-61
• Мощность - Макс.: 40W
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 15MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220FP
• Мощность - Макс.: 40W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
• Усиление по току (hFE): 5.5 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A
• Обратный ток коллектора: 200µA