Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 200mA Pmax 400mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 18
  • KSA539YTA
    TRANS PNP 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815CYBU
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815YTA
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815OTA
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815YTA
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815YBU
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSA539OTA
    TRANS PNP 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSA539YBU
    TRANS PNP 45V 0.2A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSA539CYTA
    TRANS PNP 45V 0.2A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815YBU
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815YBU
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815OBU
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSA539CYTA
    TRANS PNP 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSA539YBU
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC815CYTA
    TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 50mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100