Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10A Pmax 3W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 4 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TOP-3F
- Тип корпуса: TOP-3F-A1
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 3A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 1A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TOP-3F
- Тип корпуса: TOP-3F-A1
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 6A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 4 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TOP-3F
- Тип корпуса: TOP-3F-A1
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 130 @ 3A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 4 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100