Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 100mA Pmax 360mW
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/313
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: UB
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/313
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: BC856xQC
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 125 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/313
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 420 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: BC857xQC
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 850mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: BC857xQC
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 125 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 850mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BC856xQC-Q
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1412D-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100