Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 12A Pmax 33W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • BDW93CFP
    TRANS NPN DARL 100V 12A TO220FP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Мощность - Макс.: 33W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDW94CFP
    TRANS PNP DARL 100V 12A TO220FP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Мощность - Макс.: 33W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100