Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 200mA Pmax 310mW

Найдено: 6
  • SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
    • Обратный ток коллектора: 250nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: