Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1A Pmax 310mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • NSS30101LT1G
    TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBT589LT1G
    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NSVMMBT589LT1G
    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXTN2040FTA-79
    TRANS NPN 40V 1A SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NSS30100LT1G
    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 310mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100