• Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 37
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
TIP30B PBFREE THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR Central Semiconductor Corp TO-220-3 1A 80V 30W Through Hole PNP -65°C ~ 150°C (TJ) TO-220-3 700mV @ 125mA, 1A 300µA 40 @ 200mA, 4V 3MHz
TIP29 PBFREE TRANS NPN 40V 1A TO220-3 Central Semiconductor Corp TO-220-3 1A 40V 30W Through Hole NPN -65°C ~ 150°C (TJ) TO-220-3 700mV @ 125mA, 1A 300µA 40 @ 200mA, 4V 3MHz
TIP30A PBFREE THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR Central Semiconductor Corp TO-220-3 1A 60V 30W Through Hole PNP -65°C ~ 150°C (TJ) TO-220-3 700mV @ 125mA, 1A 300µA 40 @ 200mA, 4V 3MHz
TIP30-BP TRANS PNP 40V 1A TO220AB Micro Commercial Co TO-220-3 1A 40V 30W Through Hole PNP -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB 700mV @ 125mA, 1A 300µA 40 @ 200mA, 4V 3MHz
TIP29C-BP TRANS NPN 100V 1A TO220AB Micro Commercial Co TO-220-3 1A 100V 30W Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB 700mV @ 125mA, 1A 300µA 15 @ 1A, 4V 3MHz
TIP29-BP TRANS NPN 40V 1A TO220AB Micro Commercial Co TO-220-3 1A 40V 30W Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB 700mV @ 125mA, 1A 300µA 15 @ 1A, 4V 3MHz
2N4923G TRANS NPN 80V 1A TO126 onsemi TO-225AA, TO-126-3 1A 80V 30W Through Hole NPN -65°C ~ 150°C (TJ) TO-126 600mV @ 100mA, 1A 500µA 30 @ 500mA, 1V 3MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100